We Design & Build IC's with SCMOS Inside!

Advanced Low-Power SCMOS

 
Golden Silicon World
   
Company
Technology
Business
Events & Press
Tech Info
Site Map
 
 
GST Rights Reserved
Disclaimer
Technology 科技 > SCMOS Highlights 亮点
     
 
 

蕭克基二極互補金氧半導體製程新技術(Schottky Diode CMOS)邀請合作簡述


IC 技術和微電子產業全球趨勢:


微電子晶片上設備: 越來越小的電子元器件; 三極管開關、二極管開關、電阻器、電容器等. 矽晶片上將容納越來越多設備。

  • 一塊晶片附含更多的功能和容量 (成千上萬位元位元組,數碼式邏輯,和類比功能, 積成度變得更高,存儲容量也更多),且充分減低了晶片功耗。
  • 隨著處理設備的精確度和解析度的改善,每代設備尺寸持續收縮率70%。
  • 隨著晶片上的瑕疵計數的減少,晶片容量每代可持續增長200%.
  • 中國電子器件進口目前已超越US$480M
  • 美國矽谷IC設計公司逐漸遷往亞洲板導體領導地位漸失,有利於SCMOS業務發展

我公司 技術、產品之獨創特點


將單晶片IC推至最高密度,最高積成度,最高速度,和最低功耗


•    我公司 SCMOS 擁有基於二極管之動態邏輯閘門(DTL gate)與超低障礙電壓(Vt=0.1V), 此類動態邏輯閘門可以替代雙通道以上之三極管開關組成之CMOS邏輯閘門(TTL), 典型地在閘門和配線區域,節省2對1的平面空間。
•    SCMOS 保留雙通道以下之三極管組成之简單CMOS(TTL)邏輯閘門,如反向器,D型栓鎖.
•    強導電性的二極管和緊密藕合的CMOS 反向器, 為晶片上的網路提供優越的最小RC 時間常數。閘門間驅動/負載率特佳.
•    動態邏輯閘門使用一對時鐘晶體管,節制二極管邏輯閘門的偏壓電流. 此類動態邏輯閘門群真實地減少了晶片上邏輯閘門之面積與時鐘負荷, 並控制在片組合的功耗,只有在需要時段內才消耗功率。
•    此處之時鐘三極管,採用最窄之寛度;Wp=Wn=Wmin , Ln=2*Lp.是故,N-管面積大於P-管2倍,使全晶片的時鐘總負荷趨於平衡.按一般CMOS三極管設計, 採用最短之長度; Lp=Ln=Lmin, Wp=2*Wn. P-管面積大於N-管2倍.
•    小巧之二極管,可支援新的類比電路應用,增高和數位電路之積成度.
使用矽晶片製作的光罩ROM,可支援具高密度,低成本,保密性高的,高速之起動編程,和顯視图表, 包括各国曲线文字,数学运算。
•    SCMOS 二極管陣列支持由製造商光罩編程的唯讀取記憶器ROM,同時也支持可熔接antifuse-based的一次性可編程的唯讀取記憶器(OTP)ROM,並在密度为4F^2/位元的情況下, 其邏輯處理速度及產品製造成本比其他任何快閃記憶Flash Memory 設備都低的價位,比SLC Flash 設備超出一倍的優勢,且比得上4位級MLC NAND Flash。.
•    上述光罩編程器和OTP ROM一次性可編程器,其工作速度在nS 奈秒級, 與高速記憶體在同一晶片內完全匹配。然而,Flash設備要求昂貴複雜的制程, 其工作速度在μS 微秒級, 與高速記憶體在同一晶片內無法匹配。
•    如使用90納米制程, 每平方公分晶片可存約3 giga bit (256 MB), 可錄一次性音像或數據.低功耗的好處:
•    SCL 電路使用低障礙的Schottky蕭克基二極管作為邏輯輸入設備,替換了常規三極管連接三極管CMOS TTL ,的邏輯閘門。運作时, 设计可使绝大部份蕭克基二極管处于零反压状态, 使漏电减至零,增强設備之良率及可靠性.
•    SCL 在電源電壓範圍在1.2 伏特(或以下) 與5.0 伏特之間可靠地省点運作。重要的是1.2 到1.5 伏特的低壓範圍,因為1.2 伏特是可再充電的鋰電池基本的終端電壓, 現在從手機到攜帶型電腦普遍用移動設備, 意味著電話和電腦能直接連接到鋰電池驱动之設備,使電池高效率地长时期使用。
•    手机,玩具,和時鐘普遍使用的A 、AA 和AAA 電池的終端電壓是1.5 伏特。在典型的工作中, 當電路使用這個低電壓範圍時比在2.5V/3V下運作的CMOS TTL 電路所需要的功耗低於25%。這使電池的使用期提高了約400%,也使原需使用巨大電池的產品和軟體可以用小電池運作。
•    SCMOS設備和電路可同時支援SCMOS或CMOS双介面,連接現有的CMOS 部件,不用另加電平轉換電路,一個非常中意的性能。
低費用和高容量的好處:
•    SCMOS制程基本上是常規CMOS制程增加了低障礙Schottky二極管, 這種制程,已在2004年由台積電初步研發成功,產品中能重複和可靠地使用二極管。
•    這種制程在生產線上並不要求更為苛刻地規格。實際上, SCMOS可同时有益地在即將被廢棄的4 或6 英寸晶片生產線上製造低檔產品,或在不甚嚴格規格的8英寸生產線上製造中檔產品,或以最嚴密設計規格的12 英寸(300 毫米) 晶片生產線上製造高檔產品。
•    我公司作為一個技術公司, 在半導體產業開發知慧產權上,開山立派創建了父母級之專利權,幷將長期提供給適當的夥伴使用。新的應用產品都有子專利權涵蓋.
SCMOS/SCL 電路和制程可以支援新產品和現有產品的改進, 使低電平,功耗低,和尺寸更小的晶片受益。
•    不管生產線如何,小的晶片尺寸會導致每晶圆片上有更多晶片和制程收益的改善。
可編程的永存IC(ROM): 便於即時修改,縮短上市時間
•    傳統設計用於開發硬體/軟體的重大成本,包括實施工程上之變化及验收,損失上市時間和贏利,和損失在呆貨上的費用。
•    在高的積程度領域內,可編程式將有益於用戶巨大的開源和節流,改善,創造高新收入。
•    我公司所有的產品將帶有可編程式的工具領域,容納功能的變化和自檢。
使中國IC 產業跳躍到主導位置的真正的機會:
由我公司發明和擁有的智慧資產,將不必费用巨大投資和延誤,並令人信服地提供給它的中國客戶, 使其產品領先,具有飛躍成為前沿技術的機會。
•    我公司SCMOS庫中的部件, 具有雙重信號電平介面,可以與標準的CMOS資料庫相容和共存。是故, SCMOS包涵所有簡單CMOS設計庫中的部件.
•    預計我公司 SCMOS 的矩陣,將具有最優性能價格比。比快閃電子(Flash Device) 器件便宜且快. 蕭克基矩陣的拮取延遲可達奈秒級,可與同晶片高速記憶體匹配. 快閃器的制程複雜昂貴,拮取延遲約為微秒級,太慢.
•    蕭克基矩陣可用於多媒體音像拮取存儲


我公司專利說明、技術、產品的好處

  • 在資料傳遞途徑中對於類比,記憶,快閃和FPGA等有許多新IP,也有新的IP 和電池結構在開發中。
  • 革新的產品和热门應用軟體將在JV運作的初期開始開發。
  • 對於合夥企業在决選產品开发方案來說,是個時間和優先的問題。
  • 我公司是一個由留美學人在2004 年主導的合資企業 。領導人為電機工程學碩士,IBM工作期間,從事IC 設計和制程方面有累積20多年的工作經驗,曾為多種用途的應用軟體設計和開發低功率,高速度和高容量的IC產品研發作供獻。我公司已在加利福尼亞州註冊,並在Mountain View有一個辦公室。他已成功地完成了一套基於電路結構的開山立派新發明和用於類比,邏輯,和記憶應用的相關電子元器件。
  • 我公司已經從美國專利和商標辦公室獲得了二個基本的發明專利Parent Patents, 一個是制程專利電路專利提供給電路設計使用(US pat.6,590,800, 2003) ,另一個為獨特的SCMOS 制程使用(US pat. 6,852,578,2005)。
  • 以上兩個IP 是在所有低功耗微電子產品的解決方案中,探索下一代有效硬體產品設計與製造的關鍵種子技術。各類電子產品均有親子children patents發明專利涵蓋.
  • 我公司有一個技術顧問委員會, 目前包括凯文-Hu (胡正明現任加大教授,前臺積電技術總監TSMC CTO),他成功的在台積電試作了1個Lot,驗證過LtSBD可行性,將承諾在適當時機將報告給投資者驗證
  • 如我公司如在中國設立,也将與中芯半導體和有此技術者,達成了合作默契,我司將專業於IC設計,流片厂專業生產
  • 前上海復旦大學原物理系主任,現為復旦微電子湯庭鰲教授已達成參與默契,也將以此基礎提出進入市場報告
  • 我公司有一位全權代表胡希賢,於2003年起接受專利者直接委託在亞州尋找合作夥伴,確認適當機會,他會將商業企劃書交付有意投資者閱覽